NTD600N80S3Z

Görsel referans amaçlıdır

Özellik	Değer	Ara
Üretici Kodu	NTD600N80S3Z
Kategori	MOSFETs
Marka	onsemi
Paket	TO-252-2 (DPAK)
Montaj Türü	SMD
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	3.8 V@180 μA
Power Dissipation	60 W
Çalışma Sıcaklığı (Min)	-55 °C
Çalışma Sıcaklığı (Maks)	+150 °C
Continuous Drain Current (Id)	8 A
Drain Source Voltage (Vdss)	800 V
Mosfet Type	N Channel
Drain Source On Resistance (RDS) (mOhms)	550 mΩ
Drain Source On Resistance (Vgs) (V)	10 V
Drain Source On Resistance (Id) (A)	4 A
benzer ürün bulundu.. Benzerleri Gör

Stok Durumu

Stok :

Stokta Yok

En az 1 adet, 1 katları

Birim Fiyat:

Toplam:

Infineon Technologies

Hangzhou Silan Microelectronics

Infineon Technologies

Infineon Technologies

ANHI

Infineon Technologies

onsemi

Wuxi Chipown Micro-electronics